창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-A2T18H410-24SR6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RF Products Selector Guide A2T18H410-24SR6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
주파수 | 1.81GHz | |
이득 | 17.4dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 800mA | |
전력 - 출력 | 71W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | NI-1230-4LS2L | |
공급 장치 패키지 | NI-1230-4LS2L | |
표준 포장 | 150 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | A2T18H410-24SR6 | |
관련 링크 | A2T18H4, A2T18H410-24SR6 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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VJ0805D621GXBAT | 620pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D621GXBAT.pdf | ||
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