Comchip Technology ACZRW5232B-G
- 제조업체 부품 번호
- ACZRW5232B-G
- 제조업 자
- Comchip Technology
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 5.6V 350MW SOD123FL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
ACZRW5232B-G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 59.67567
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of ACZRW5232B-G, we specialize in all series Comchip Technology electronic components. ACZRW5232B-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ACZRW5232B-G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- ACZRW5232B-G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
ACZRW5232B-G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-ACZRW5232B-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | ACZRW5223B-G thru 5256B-G | |
| PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Comchip Technology | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 11옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123FL | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | ACZRW5232B-G | |
| 관련 링크 | ACZRW5, ACZRW5232B-G Datasheet, Comchip Technology Distributor | |
ACZRW5232B-G 의 관련 제품
 | EKZN250ELL332ML25S | 3300µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | EKZN250ELL332ML25S.pdf | |
 | LGR2G121MELB25 | 120µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 10000 Hrs @ 105°C | LGR2G121MELB25.pdf | |
.jpg) | C0805C221J1GACTU | 220pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C221J1GACTU.pdf | |
 | C901U120JUNDBA7317 | 12pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U120JUNDBA7317.pdf | |
 | CM309E24000000AFJT | 24MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E24000000AFJT.pdf | |
 | NSVBAV99WT3G | DIODE ARRAY GP 99V 200MA SC70 | NSVBAV99WT3G.pdf | |
 | MMSZ5252C-E3-08 | DIODE ZENER 24V 500MW SOD123 | MMSZ5252C-E3-08.pdf | |
 | APT70SM70B | POWER MOSFET - SIC | APT70SM70B.pdf | |
 | QBHP684UE-IWV-NW | LED Lighting - White, Neutral 4000K 3.8V 700mA 130° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | QBHP684UE-IWV-NW.pdf | |
 | MLG1005S3N3BT000 | 3.3nH Unshielded Multilayer Inductor 800mA 200 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S3N3BT000.pdf | |
 | CRCW121041R2FKEAHP | RES SMD 41.2 OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW121041R2FKEAHP.pdf | |
 | RG3216N-4700-W-T1 | RES SMD 470 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-4700-W-T1.pdf |
