창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AFT20S015GNR1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | AFT20S015(G)NR1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 2.17GHz | |
이득 | 17.6dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 132mA | |
전력 - 출력 | 1.5W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | TO-270-2 갈매기날개 | |
공급 장치 패키지 | TO-270-2 GULL | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | AFT20S015GNR1-ND AFT20S015GNR1TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | AFT20S015GNR1 | |
관련 링크 | AFT20S, AFT20S015GNR1 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | GRM1886R1H8R3DZ01D | 8.3pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886R1H8R3DZ01D.pdf | |
![]() | TAJT106M006SNJ | 10µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 1210 (3528 Metric) 4 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TAJT106M006SNJ.pdf | |
![]() | 445A3XJ27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 9pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A3XJ27M00000.pdf | |
![]() | FXO-HC335-50 | 50MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC335-50.pdf | |
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