창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AFT21H350W04GSR6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | AFT21H350W0(3,4G)SR6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 2.11GHz | |
이득 | 16.4dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 750mA | |
전력 - 출력 | 63W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | NI-1230S-4 GW | |
공급 장치 패키지 | NI-1230S-4 갈매기날개형 | |
표준 포장 | 150 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | AFT21H350W04GSR6 | |
관련 링크 | AFT21H35, AFT21H350W04GSR6 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
800B180FT500XT | 18pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 800B180FT500XT.pdf | ||
GRM0225C1E1R4BDAEL | 1.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E1R4BDAEL.pdf | ||
MKP1839120635R | 200pF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.236" Dia x 0.433" L (6.00mm x 11.00mm) | MKP1839120635R.pdf | ||
TAP685M035SCS | 6.8µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V Radial 2.5 Ohm 0.236" Dia (6.00mm) | TAP685M035SCS.pdf | ||
F910E227MCC | 220µF Molded Tantalum Capacitors 2.5V 2312 (6032 Metric) 250 mOhm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | F910E227MCC.pdf | ||
T491D226M025ZT | 22µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2917 (7343 Metric) 800 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T491D226M025ZT.pdf | ||
5KP10E3/TR13 | TVS DIODE 10VWM 18.8VC P600 | 5KP10E3/TR13.pdf | ||
V175LC20CP | VARISTOR 270V 10KA DISC 20MM | V175LC20CP.pdf | ||
RS1PD-M3/84A | DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA | RS1PD-M3/84A.pdf | ||
SB150-T | DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO41 | SB150-T.pdf | ||
HF2826-332Y3R0-T01 | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 3A DCR 88 mOhm | HF2826-332Y3R0-T01.pdf | ||
CRCW020186R6FNED | RES SMD 86.6 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW020186R6FNED.pdf |