Advanced Linear Devices Inc. ALD1102APAL
- 제조업체 부품 번호
- ALD1102APAL
- 제조업 자
- Advanced Linear Devices Inc.
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
ALD1102APAL 가격 및 조달
가능 수량
1191 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3,036.41400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of ALD1102APAL, we specialize in all series Advanced Linear Devices Inc. electronic components. ALD1102APAL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALD1102APAL, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- ALD1102APAL 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
ALD1102APAL 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-ALD1102APAL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | ALD1102(A,B) | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P 채널(이중) 결합 쌍 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 10.6V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270옴 @ 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 10µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PDIP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 1014-1004 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | ALD1102APAL | |
| 관련 링크 | ALD11, ALD1102APAL Datasheet, Advanced Linear Devices Inc. Distributor | |
ALD1102APAL 의 관련 제품
 | R46KI24705001K | 0.047µF Film Capacitor 275V 560V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.197" W (18.00mm x 5.00mm) | R46KI24705001K.pdf | |
 | CD42FA913GO3 | 0.091µF Mica Capacitor 100V Radial 0.150" L x 0.050" W (3.81mm x 1.27mm) | CD42FA913GO3.pdf | |
 | TAWD336K016R0600 | 33µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 600 mOhm 0.287" Dia x 0.169" L (7.30mm x 4.30mm) | TAWD336K016R0600.pdf | |
 | FW3200020 | 32MHz ±30ppm 수정 10pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FW3200020.pdf | |
 | SIT1602AI-12-33E-18.432000E | OSC XO 3.3V 18.432MHZ OE | SIT1602AI-12-33E-18.432000E.pdf | |
 | MLG0603P9N1JT000 | 9.1nH Unshielded Multilayer Inductor 250mA 900 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P9N1JT000.pdf | |
 | P1330-105K | 1mH Unshielded Inductor 105mA 11.16 Ohm Max Nonstandard | P1330-105K.pdf | |
 | IHLP5050EZERR68M01 | 680nH Shielded Molded Inductor 34A 1.7 mOhm Max Nonstandard | IHLP5050EZERR68M01.pdf | |
 | ERJ-6ENF6813V | RES SMD 681K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF6813V.pdf | |
.jpg) | AT0603DRD07255RL | RES SMD 255 OHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRD07255RL.pdf | |
 | Y006290K0000T9L | RES 90K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y006290K0000T9L.pdf | |
| OM3905E-R58 | RES 39 OHM 1W 5% AXIAL | OM3905E-R58.pdf |
