창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ALD210800ASCL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ALD210800/A | |
주요제품 | Precision N-Channel EPAD® MOSFET Array | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. | |
계열 | EPAD®, Zero Threshold™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 4 N 채널, 결합 쌍 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 10.6V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25옴 | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 10mV @ 10µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15pF @ 5V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 16-SOIC | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 1014-1214 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | ALD210800ASCL | |
관련 링크 | ALD210, ALD210800ASCL Datasheet, Advanced Linear Devices Inc. Distributor |
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