Advanced Linear Devices Inc. ALD212908APAL
- 제조업체 부품 번호
- ALD212908APAL
- 제조업 자
- Advanced Linear Devices Inc.
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
ALD212908APAL 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,891.12000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of ALD212908APAL, we specialize in all series Advanced Linear Devices Inc. electronic components. ALD212908APAL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALD212908APAL, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- ALD212908APAL 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
ALD212908APAL 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-ALD212908APAL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | ALD212908 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. | |
| 계열 | EPAD®, Zero Threshold™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 결합 쌍 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 10.6V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 20mV @ 10µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PDIP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | ALD212908APAL | |
| 관련 링크 | ALD212, ALD212908APAL Datasheet, Advanced Linear Devices Inc. Distributor | |
ALD212908APAL 의 관련 제품
 | B43254A2337M | 330µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | B43254A2337M.pdf | |
| B41252A8568M | 5600µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 105°C | B41252A8568M.pdf | |
-Kemet.jpg) | C1206X474J3RAC7800 | 0.47µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.130" L x 0.063" W(3.30mm x 1.60mm) | C1206X474J3RAC7800.pdf | |
 | VJ1210Y152KXGAT5Z | 1500pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | VJ1210Y152KXGAT5Z.pdf | |
 | VJ1808A430KBFAT4X | 43pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A430KBFAT4X.pdf | |
 | AQ12EM3R3BAJWE | 3.3pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM3R3BAJWE.pdf | |
 | BZW50-68B | TVS DIODE 68VWM 157VC R6 | BZW50-68B.pdf | |
 | 416F48012IDR | 48MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48012IDR.pdf | |
 | 1PMT5932B/TR13 | DIODE ZENER 20V 3W DO216AA | 1PMT5932B/TR13.pdf | |
| 0925-182K | 1.8µH Shielded Molded Inductor 217mA 950 mOhm Max Axial | 0925-182K.pdf | |
.jpg) | RT1206CRB07187KL | RES SMD 187K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB07187KL.pdf | |
| MRS25000C1803FC100 | RES 180K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C1803FC100.pdf |
