창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ALSR03680R0FE12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ALVR, ALSR Series 1W-10W | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2253 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 스루홀 저항기 | |
제조업체 | Vishay Dale | |
계열 | ALSR | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 680 | |
허용 오차 | ±1% | |
전력(와트) | 3W | |
구성 | 권선 | |
특징 | 내습성 | |
온도 계수 | ±30ppm/°C | |
작동 온도 | -65°C ~ 250°C | |
패키지/케이스 | 축방향 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
크기/치수 | 0.180" Dia x 0.500" L(4.57mm x 12.70mm) | |
높이 | - | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | ALSR-3-680-1% ALSR3F-680 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | ALSR03680R0FE12 | |
관련 링크 | ALSR036, ALSR03680R0FE12 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | NOJP335M010RWJ | 3.3µF Niobium Oxide Capacitor 10V 0805 (2012 Metric) 7 Ohm ESR | NOJP335M010RWJ.pdf | |
![]() | 416F32035ATT | 32MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32035ATT.pdf | |
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![]() | 1N5221BDO35 | DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 | 1N5221BDO35.pdf | |
![]() | AGN200A4H | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | AGN200A4H.pdf | |
![]() | 2-1423183-2 | RELAY TIME DELAY | 2-1423183-2.pdf | |
![]() | AA1206FR-071R2L | RES SMD 1.2 OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-071R2L.pdf | |
![]() | KTR03EZPJ3R3 | RES SMD 3.3 OHM 5% 1/10W 0603 | KTR03EZPJ3R3.pdf | |
![]() | MBA02040C3011FC100 | RES 3.01K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C3011FC100.pdf | |
![]() | CMF50649R00BER6 | RES 649 OHM 1/4W .1% AXIAL | CMF50649R00BER6.pdf | |
![]() | HMC752LC4TR | RF Amplifier IC General Purpose 24GHz ~ 28GHz 24-CSMT (4x4) | HMC752LC4TR.pdf |