창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT102GA60L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | APT102GA60(B2,L) | |
카탈로그 페이지 | 1628 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | PT | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 183A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 307A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A | |
전력 - 최대 | 780W | |
스위칭 에너지 | 1.354mJ(켜기), 1.614mJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 294nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 28ns/212ns | |
테스트 조건 | 400V, 62A, 4.7 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-264 [L] | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | APT102GA60LMI APT102GA60LMI-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | APT102GA60L | |
관련 링크 | APT10, APT102GA60L Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | B43084A2156M | 15UF 200V 10X20 SINGLE END | B43084A2156M.pdf | |
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![]() | 12065C823JAT2A | 0.082µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12065C823JAT2A.pdf | |
![]() | MP024S-E | 2.4576MHz ±30ppm 수정 32pF 300옴 -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/U | MP024S-E.pdf | |
![]() | 416F36013CAT | 36MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36013CAT.pdf | |
![]() | 416F480X2AKT | 48MHz ±15ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F480X2AKT.pdf | |
![]() | PS2501L-1-F3-L-A | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | PS2501L-1-F3-L-A.pdf | |
![]() | RC0603FR-0727K4L | RES SMD 27.4K OHM 1% 1/10W 0603 | RC0603FR-0727K4L.pdf | |
![]() | H4200RBDA | RES 200 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4200RBDA.pdf | |
![]() | E-TA2012 T 7DB N4 | RF Attenuator 7dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 7DB N4.pdf |