창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT10M11JVRU2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | APT10M11JVRU2 Power Products Catalog | |
카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 142A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 71A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 450W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | APT10M11JVRU2MI APT10M11JVRU2MI-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | APT10M11JVRU2 | |
관련 링크 | APT10M, APT10M11JVRU2 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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MR052A220JAATR1 | 22pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.190" L x 0.090" W(4.83mm x 2.28mm) | MR052A220JAATR1.pdf | ||
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402F54012ILT | 54MHz ±10ppm 수정 12pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F54012ILT.pdf | ||
NSS1C201MZ4T3G | TRANS NPN 100V 2A SOT223-4 | NSS1C201MZ4T3G.pdf | ||
Z0402C601ESMST | 600 Ohm Impedance Ferrite Bead 0402 (1005 Metric) Surface Mount Signal Line 300mA 1 Lines 600 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | Z0402C601ESMST.pdf | ||
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RG2012P-1692-B-T5 | RES SMD 16.9K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-1692-B-T5.pdf | ||
PWR1913WR750J | RES SMD 0.75 OHM 5% 1/2W 1913 | PWR1913WR750J.pdf | ||
MBB02070D2521DC100 | RES 2.52K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070D2521DC100.pdf | ||
CW0108K200JE12 | RES 8.2K OHM 13W 5% AXIAL | CW0108K200JE12.pdf |