Microsemi Corporation APT18M100B
- 제조업체 부품 번호
- APT18M100B
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
APT18M100B 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 7,019.29800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of APT18M100B, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. APT18M100B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT18M100B, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- APT18M100B 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
APT18M100B 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APT18M100B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | APT18M100(B,S) Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 700m옴 @ 9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4845pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 625W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT18M100BMI APT18M100BMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | APT18M100B | |
| 관련 링크 | APT18, APT18M100B Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
APT18M100B 의 관련 제품
 | 100ZLH82MEFC10X16 | 82µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | 100ZLH82MEFC10X16.pdf | |
 | MAL203838228E3 | 2.2µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | MAL203838228E3.pdf | |
| MKP386M560100YT8 | 6µF Film Capacitor 500V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box 2.284" L x 1.378" W (58.00mm x 35.00mm) | MKP386M560100YT8.pdf | |
| 023306.3MXF5P | FUSE GLASS 6.3A 125VAC 5X20MM | 023306.3MXF5P.pdf | |
 | MSRTA200120(A)D | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | MSRTA200120(A)D.pdf | |
 | SI7100DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8 | SI7100DN-T1-GE3.pdf | |
| IMC1008ER5R6J | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 170mA 2.6 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | IMC1008ER5R6J.pdf | |
 | SC1606-680 | 68µH Unshielded Inductor 400mA 1.6 Ohm Max Nonstandard | SC1606-680.pdf | |
 | PS2565L-1-F3-A | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | PS2565L-1-F3-A.pdf | |
.jpg) | PHP00805H1432BBT1 | RES SMD 14.3K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H1432BBT1.pdf | |
 | RCP0505B33R0GS6 | RES SMD 33 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505B33R0GS6.pdf | |
 | CMF6010K240BEEK | RES 10.24K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF6010K240BEEK.pdf |
