창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT34N80B2C3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | APT34N80(B2,L)C3 Power Products Catalog | |
카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 145m옴 @ 22A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 355nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4510pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 417W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
공급 장치 패키지 | T-MAX™ [B2] | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | APT34N80B2C3GMI APT34N80B2C3GMI-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | APT34N80B2C3G | |
관련 링크 | APT34N, APT34N80B2C3G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | TA-1.8432MDD-T | 1.8432MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TA-1.8432MDD-T.pdf | |
![]() | BUK9Y113-100E,115 | MOSFET N-CH 100V LFPAK | BUK9Y113-100E,115.pdf | |
![]() | IHSM5832ER330L | 33µH Unshielded Inductor 1.9A 170 mOhm Max Nonstandard | IHSM5832ER330L.pdf | |
![]() | ERJ-1WYJ165U | RES SMD 1.6M OHM 5% 1W 2512 | ERJ-1WYJ165U.pdf | |
![]() | CRCW201082R0FKEF | RES SMD 82 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW201082R0FKEF.pdf | |
![]() | ERJ-XGNJ162Y | RES SMD 1.6K OHM 5% 1/32W 01005 | ERJ-XGNJ162Y.pdf | |
![]() | PHP00603E2081BST1 | RES SMD 2.08K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E2081BST1.pdf | |
![]() | 1676396-5 | RES SMD 61.9KOHM 0.1% 1/10W 0805 | 1676396-5.pdf | |
![]() | MBA02040C3484FRP00 | RES 3.48M OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C3484FRP00.pdf |