Microsemi Corporation APT36N90BC3G
- 제조업체 부품 번호
- APT36N90BC3G
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
APT36N90BC3G 가격 및 조달
가능 수량
1246 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 16,745.61300
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of APT36N90BC3G, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. APT36N90BC3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT36N90BC3G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- APT36N90BC3G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
APT36N90BC3G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APT36N90BC3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | APT36N90BC3G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 2.9mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 252nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7463pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 390W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | APT36N90BC3G | |
| 관련 링크 | APT36N, APT36N90BC3G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
APT36N90BC3G 의 관련 제품
 | MAL205019681E3 | 680µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Solder Lug 170 mOhm @ 100Hz 15000 Hrs @ 85°C | MAL205019681E3.pdf | |
 | LPW222M1HN25V-W | 2200µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 226 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 85°C | LPW222M1HN25V-W.pdf | |
 | SA105E473ZARC | 0.047µF 50V 세라믹 커패시터 Z5U 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA105E473ZARC.pdf | |
-2.jpg) | 1808JA330KATME | 33pF 4000V(4kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808JA330KATME.pdf | |
| MKP383327040JDA2B0 | 0.027µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.197" W (12.50mm x 5.00mm) | MKP383327040JDA2B0.pdf | |
| CMR06F472GPDM | CMR MICA | CMR06F472GPDM.pdf | |
| BSPM2480S3GR | 240/480 SPLIT PHASE 2P SPD W/ RE | BSPM2480S3GR.pdf | |
 | SIT1602ACE1-28S | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 4.5mA Standby | SIT1602ACE1-28S.pdf | |
 | BYT56D-TR | DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 | BYT56D-TR.pdf | |
 | ASPI-0403H-150K-T | 15µH Unshielded Wirewound Inductor 920mA 235 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0403H-150K-T.pdf | |
| CJT1203R9JJ | RES CHAS MNT 3.9 OHM 5% 120W | CJT1203R9JJ.pdf | |
| P51-200-A-AD-I12-5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Absolute Male - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-200-A-AD-I12-5V-000-000.pdf |
