Microsemi Corporation APT47M60J
- 제조업체 부품 번호
- APT47M60J
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
APT47M60J 가격 및 조달
가능 수량
1160 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 24,251.20660
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of APT47M60J, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. APT47M60J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT47M60J, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- APT47M60J 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
APT47M60J 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APT47M60J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | APT47M60J Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 49A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 33A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 330nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13190pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 540W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | APT47M60J | |
| 관련 링크 | APT4, APT47M60J Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
APT47M60J 의 관련 제품
 | 36DE303G100DF2D | 30000µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 1000 Hrs @ 85°C | 36DE303G100DF2D.pdf | |
 | 416F380X3CKR | 38MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F380X3CKR.pdf | |
 | MA-306 28.63636M-C0:ROHS | 28.63636MHz ±50ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-306 28.63636M-C0:ROHS.pdf | |
 | SE20PDHM3/85A | DIODE GEN PURP 200V 1.6A DO220AA | SE20PDHM3/85A.pdf | |
 | GA100SICP12-227 | SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV | GA100SICP12-227.pdf | |
 | LQH32MN221J23L | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 65mA 11.8 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | LQH32MN221J23L.pdf | |
 | TYS3012680M-10 | 68µH Shielded Inductor 330mA 1.67 Ohm Max Nonstandard | TYS3012680M-10.pdf | |
| 4470-24G | 82µH Unshielded Molded Inductor 425mA 2.8 Ohm Max Axial | 4470-24G.pdf | |
 | YC124-FR-076K2L | RES ARRAY 4 RES 6.2K OHM 0804 | YC124-FR-076K2L.pdf | |
.jpg) | CFR16J4K7 | RES 4.70K OHM 1/4W 5% AXIAL | CFR16J4K7.pdf | |
 | UPD5713TK-E2-A | RF Switch IC 802.15.1/Bluetooth, Cellular, PCS, WLAN, WLL SPDT 2.5GHz 50 Ohm 6-Minimold | UPD5713TK-E2-A.pdf | |
 | 192-501DEV-A01 | NTC Thermistor 500 Bead | 192-501DEV-A01.pdf |
