Microsemi Corporation APT5010LLLG
- 제조업체 부품 번호
- APT5010LLLG
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
APT5010LLLG 가격 및 조달
가능 수량
1171 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 12,456.29020
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of APT5010LLLG, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. APT5010LLLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT5010LLLG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- APT5010LLLG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
APT5010LLLG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APT5010LLLG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | APT5010(B2,L)LL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 7® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 23A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4360pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 520W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264 [L] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | APT5010LLLG | |
| 관련 링크 | APT50, APT5010LLLG Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
APT5010LLLG 의 관련 제품
 | UKW1E103MRD | 10000µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UKW1E103MRD.pdf | |
 | GRM0335C2A6R3CA01D | 6.3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C2A6R3CA01D.pdf | |
 | 1812CA152JATME | 1500pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812CA152JATME.pdf | |
 | BFC237511244 | 0.24µF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.181" L x 0.512" W (30.00mm x 13.00mm) | BFC237511244.pdf | |
| 0229.350VXSP | FUSE GLASS 350MA 250VAC 125VDC | 0229.350VXSP.pdf | |
 | 7B-36.000MEEQ-T | 36MHz ±10ppm 수정 10pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7B-36.000MEEQ-T.pdf | |
 | IPB80N04S204ATMA2 | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | IPB80N04S204ATMA2.pdf | |
| S3483R-180M | 18µH Shielded Wirewound Inductor 1mA 120 mOhm Max Nonstandard | S3483R-180M.pdf | |
 | ERJ-T08J2R0V | RES SMD 2 OHM 5% 1/3W 1206 | ERJ-T08J2R0V.pdf | |
 | RG3216N-2741-W-T1 | RES SMD 2.74KOHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-2741-W-T1.pdf | |
| RG2012V-5231-P-T1 | RES SMD 5.23KOHM 0.02% 1/8W 0805 | RG2012V-5231-P-T1.pdf | |
| E3ZM-V86 | SENSOR PHOTOELECTRIC M8 REFL | E3ZM-V86.pdf |
