창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT50GP60B2DQ2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | APT50GP60B2DQ2(G) | |
카탈로그 페이지 | 1628 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWER MOS 7® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
IGBT 유형 | PT | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 150A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 190A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A | |
전력 - 최대 | 625W | |
스위칭 에너지 | 465µJ(켜기), 635µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 165nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 19ns/85ns | |
테스트 조건 | 400V, 50A, 4.3 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | * | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | APT50GP60B2DQ2GMI APT50GP60B2DQ2GMI-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | APT50GP60B2DQ2G | |
관련 링크 | APT50GP, APT50GP60B2DQ2G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | MBB02070C3322FRP00 | RES 33.2K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C3322FRP00.pdf | |
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![]() | E-TA2012 T 3DB N5 | RF Attenuator 3dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 3DB N5.pdf |