창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT84F50B2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | APT84F50B2,50L | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWER MOS 8™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 84A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 42A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 340nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1135W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
공급 장치 패키지 | T-MAX™ [B2] | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | APT84F50B2 | |
관련 링크 | APT84, APT84F50B2 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | CC1206JRX7RABB222 | 2200pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206JRX7RABB222.pdf | |
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![]() | SQCB5A512KAJWE | 5100pF 50V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB5A512KAJWE.pdf | |
![]() | SE30PAGHM3/I | DIODE ESD | SE30PAGHM3/I.pdf | |
![]() | P4KE22 | TVS DIODE 18.8VWM 32.13VC AXIAL | P4KE22.pdf | |
![]() | V33MA1S | VARISTOR 33V 40A SOD83A AXIAL | V33MA1S.pdf | |
![]() | SIT8008BI-13-18E-25.175000E | OSC XO 1.8V 25.175MHZ OE | SIT8008BI-13-18E-25.175000E.pdf | |
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![]() | MURT40040R | DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER | MURT40040R.pdf | |
![]() | RHU003N03T106 | MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323 | RHU003N03T106.pdf | |
![]() | MAFC-004403-TR0500 | RF IC Frequency Doubler 16GHz ~ 24GHz 16-QFN (4x4) | MAFC-004403-TR0500.pdf |