창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT85GR120B2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | APT85GR120(B2,L) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | NPT | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 170A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 340A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 85A | |
전력 - 최대 | 962W | |
스위칭 에너지 | 6mJ(켜기), 3.8mJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 660nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 43ns/300ns | |
테스트 조건 | 600V, 85A, 4.3 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | T-MAX™ | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | APT85GR120B2 | |
관련 링크 | APT85G, APT85GR120B2 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | CC0805JRNPO0BN180 | 18pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CC0805JRNPO0BN180.pdf | |
![]() | 1812CC683KAZ3A | 0.068µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812CC683KAZ3A.pdf | |
![]() | LP29BF33IDT | 29.4912MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP29BF33IDT.pdf | |
![]() | CX3225GB54000D0HEQZ1 | 54MHz ±20ppm 수정 8pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB54000D0HEQZ1.pdf | |
![]() | APT2X101D20J | DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP | APT2X101D20J.pdf | |
![]() | NSVDTA114EM3T5G | TRANS PNP 50V BIPOLAR SOT-723 | NSVDTA114EM3T5G.pdf | |
![]() | Z0201C601ASMST | 600 Ohm Impedance Ferrite Bead 0201 (0603 Metric) Surface Mount Signal Line 150mA 1 Lines 1.2 Ohm Max DCR -55°C ~ 125°C | Z0201C601ASMST.pdf | |
![]() | HKQ0603W1N4C-T | 1.4nH Unshielded Multilayer Inductor 650mA 120 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | HKQ0603W1N4C-T.pdf | |
![]() | SPFE240D25 | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 4-SIP | SPFE240D25.pdf | |
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