창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTGT200DH60G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | APTGT200DH60G Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
구성 | 비대칭 브리지 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 290A | |
전력 - 최대 | 625W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 12.3nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 없음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP6 | |
공급 장치 패키지 | SP6 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | APTGT200DH60G | |
관련 링크 | APTGT2, APTGT200DH60G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | 7M-37.400MAAE-T | 37.4MHz ±30ppm 수정 12pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M-37.400MAAE-T.pdf | |
![]() | GBJ2510-F | RECT BRIDGE GP 25A 1000V TH-HOLE | GBJ2510-F.pdf | |
![]() | VF-S320-12A | AC/DC CONVERTER 12V 320W | VF-S320-12A.pdf | |
![]() | MCR01MRTF75R0 | RES SMD 75 OHM 1% 1/16W 0402 | MCR01MRTF75R0.pdf | |
![]() | CRS0805-FX-1000ELF | RES SMD 100 OHM 1% 1/4W 0805 | CRS0805-FX-1000ELF.pdf | |
![]() | TNPV12102M00BEEN | RES SMD 2M OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPV12102M00BEEN.pdf | |
![]() | RT2512BKE0738K3L | RES SMD 38.3K OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE0738K3L.pdf | |
RSMF1JT750K | RES MO 1W 750K OHM 5% AXIAL | RSMF1JT750K.pdf | ||
![]() | HSCSNBN010MDAA5 | Pressure Sensor ±0.15 PSI (±1 kPa) Differential Male - 0.19" (4.8mm) Tube, Dual 0.5 V ~ 4.5 V 4-SIP, Dual Ports, Same Side | HSCSNBN010MDAA5.pdf |