Microsemi Corporation APTGT200H120G

APTGT200H120G
제조업체 부품 번호
APTGT200H120G
제조업 자
제품 카테고리
IGBT - 모듈
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IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
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APTGT200H120G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-APTGT200H120G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서APTGT200H120G
Power Products Catalog
종류이산 소자 반도체 제품
제품군IGBT - 모듈
제조업체Microsemi Corporation
계열-
부품 현황유효
IGBT 유형트렌치 필드 스톱
구성풀 브리지 인버터
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)1200V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)280A
전력 - 최대890W
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 200A
전류 - 콜렉터 차단(최대)350µA
입력 정전 용량(Cies) @ Vce14nF @ 25V
입력표준
NTC 서미스터없음
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스SP6
공급 장치 패키지SP6
표준 포장 1
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)APTGT200H120G
관련 링크APTGT2, APTGT200H120G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor
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