창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTGT20H60T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | APTGT20H60T1G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
구성 | 풀 브리지 인버터 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 32A | |
전력 - 최대 | 62W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 20A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 1.1nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 있음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP1 | |
공급 장치 패키지 | SP1 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | APTGT20H60T1G | |
관련 링크 | APTGT2, APTGT20H60T1G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
860080781029 | 1000µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | 860080781029.pdf | ||
1808WC391KAT1A | 390pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808WC391KAT1A.pdf | ||
445W35J14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 9pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W35J14M31818.pdf | ||
HCM4920000000AMJT | 20MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | HCM4920000000AMJT.pdf | ||
ASGTX-D-155.520MHZ-1 | 155.52MHz LVDS VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.135 V ~ 3.465 V 40mA | ASGTX-D-155.520MHZ-1.pdf | ||
BAS40-05-G3-08 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23 | BAS40-05-G3-08.pdf | ||
UFT3140C | DIODE GEN PURP 400V 30A TO204AA | UFT3140C.pdf | ||
A2T09VD300NR1 | IC TRANS RF LDMOS | A2T09VD300NR1.pdf | ||
CRCW1210806RFKEAHP | RES SMD 806 OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW1210806RFKEAHP.pdf | ||
RT0603WRE0733K2L | RES SMD 33.2K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRE0733K2L.pdf | ||
MBA02040C1003FC100 | RES 100K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1003FC100.pdf | ||
TRF37C32IRTVT | RF Amplifier IC GSM, LTE, W-CDMA 1.7GHz ~ 3.8GHz 32-WQFN (5x5) | TRF37C32IRTVT.pdf |