창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTGV50H60T3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | APTGV50H60T3G | |
PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Power Module Disc 23/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
IGBT 유형 | NPT, 트렌치 필드 스톱 | |
구성 | 풀 브리지 인버터 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80A | |
전력 - 최대 | 176W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 있음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP3 | |
공급 장치 패키지 | SP3 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | APTGV50H60T3G | |
관련 링크 | APTGV5, APTGV50H60T3G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | SIT3809AI-D2-33EG-122.88000Y | OSC XO 3.3V 122.88MHZ OE | SIT3809AI-D2-33EG-122.88000Y.pdf | |
![]() | MMBD7000-G3-08 | DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23 | MMBD7000-G3-08.pdf | |
![]() | CPF-A-0402B49R9E | RES SMD 49.9 OHM 0.1% 1/16W 0402 | CPF-A-0402B49R9E.pdf | |
![]() | ERJ-B2BJR24V | RES SMD 0.24 OHM 1W 1206 WIDE | ERJ-B2BJR24V.pdf | |
![]() | PX2CN1XX500PSCHX | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | PX2CN1XX500PSCHX.pdf |