창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTGV50H60T3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | APTGV50H60T3G | |
PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Power Module Disc 23/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
IGBT 유형 | NPT, 트렌치 필드 스톱 | |
구성 | 풀 브리지 인버터 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80A | |
전력 - 최대 | 176W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 있음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP3 | |
공급 장치 패키지 | SP3 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | APTGV50H60T3G | |
관련 링크 | APTGV5, APTGV50H60T3G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | MA-506 28.6360M-C0:(30T) | 28.636MHz ±50ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-506 28.6360M-C0:(30T).pdf | |
![]() | SS10P4-M3/87A | DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO277A | SS10P4-M3/87A.pdf | |
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![]() | NVMFS5C646NLT1G | MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL | NVMFS5C646NLT1G.pdf | |
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![]() | MCR10EZHJ755 | RES SMD 7.5M OHM 5% 1/8W 0805 | MCR10EZHJ755.pdf | |
![]() | E3HT-DS3E1 5M | SENSOR PHOTOELEC DIFF REFL 35MM | E3HT-DS3E1 5M.pdf | |
![]() | P51-1500-S-E-I12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 1500 PSI (10342.14 kPa) Sealed Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-1500-S-E-I12-20MA-000-000.pdf | |
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