Microsemi Corporation APTM100A13SG
- 제조업체 부품 번호
- APTM100A13SG
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
APTM100A13SG 가격 및 조달
가능 수량
1204 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 99,999.99999
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of APTM100A13SG, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. APTM100A13SG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100A13SG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- APTM100A13SG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
APTM100A13SG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM100A13SG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | APTM100A13SG Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1630 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 65A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 156m옴 @ 32.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 6mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 562nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1250W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP6 | |
| 공급 장치 패키지 | SP6 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APTM100A13SGMI APTM100A13SGMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | APTM100A13SG | |
| 관련 링크 | APTM10, APTM100A13SG Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
APTM100A13SG 의 관련 제품
 | 10YXM330MEFCT78X11.5 | 330µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | 10YXM330MEFCT78X11.5.pdf | |
 | VJ0805D100KXPAP | 10pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D100KXPAP.pdf | |
 | AB-24.19066MENE-T | 24.19066MHz ±10ppm 수정 12pF 60옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | AB-24.19066MENE-T.pdf | |
 | AM25090001 | 25MHz ±10ppm 수정 10pF -40°C ~ 125°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD | AM25090001.pdf | |
| TB-62.500MBE-T | 62.5MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 30mA Enable/Disable | TB-62.500MBE-T.pdf | |
| 2W005M | DIODE BRIDGE 50V 2A WOM | 2W005M.pdf | |
 | PMR210ME6100M100R30 | RC EMI Filter 1st Order Low Pass 1 Channel R = 100 Ohms, C = 0.1µF Radial | PMR210ME6100M100R30.pdf | |
| PSM1-152M-10T2 | LC (Pi) EMI Filter 3rd Order Low Pass 1 Channel C = 1500pF 10A 3-PSM | PSM1-152M-10T2.pdf | |
 | HM78D-128101MLFTR | Shielded 2 Coil Inductor Array 400µH Inductance - Connected in Series 100µH Inductance - Connected in Parallel 150 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 2A Nonstandard | HM78D-128101MLFTR.pdf | |
 | AC0805FR-07511RL | RES SMD 511 OHM 1% 1/8W 0805 | AC0805FR-07511RL.pdf | |
 | Y14730R00400D9W | RES SMD 0.004 OHM 0.5% 3W 3637 | Y14730R00400D9W.pdf | |
| C7R68JT | RES 0.68 OHM 7W 5% AXIAL | C7R68JT.pdf |
