Microsemi Corporation APTM100DSK35T3G
- 제조업체 부품 번호
- APTM100DSK35T3G
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
APTM100DSK35T3G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 99,999.99999
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of APTM100DSK35T3G, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. APTM100DSK35T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100DSK35T3G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- APTM100DSK35T3G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
APTM100DSK35T3G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM100DSK35T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | APTM100DSK35T3G Power Products Catalog | |
| PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 420m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 186nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 390W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP3 | |
| 공급 장치 패키지 | SP3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | APTM100DSK35T3G | |
| 관련 링크 | APTM100, APTM100DSK35T3G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
APTM100DSK35T3G 의 관련 제품
 | CGS223T250X8L | 22000µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 10 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | CGS223T250X8L.pdf | |
 | 445I35B16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 13pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I35B16M00000.pdf | |
 | GDZ2V0B-HG3-18 | DIODE ZENER 2V 200MW SOD323 | GDZ2V0B-HG3-18.pdf | |
| 511-44G | 9.1µH Unshielded Molded Inductor 350mA 800 mOhm Max Axial | 511-44G.pdf | |
.jpg) | AC1210FR-07169KL | RES SMD 169K OHM 1% 1/2W 1210 | AC1210FR-07169KL.pdf | |
 | CRT0805-BY-3322ELF | RES SMD 33.2KOHM 0.1% 1/8W 0805 | CRT0805-BY-3322ELF.pdf | |
 | RG3216N-9311-B-T5 | RES SMD 9.31K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-9311-B-T5.pdf | |
 | PTN1206E63R4BST1 | RES SMD 63.4 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E63R4BST1.pdf | |
.jpg) | TNPW2010806RBEEY | RES SMD 806 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010806RBEEY.pdf | |
| MRS25000C8204FCT00 | RES 8.2M OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C8204FCT00.pdf | |
 | CMF5515K840BHBF | RES 15.84K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5515K840BHBF.pdf | |
 | GP2Y0D805Z0F | SENSOR DIST MEASURE 5CM DIGITAL | GP2Y0D805Z0F.pdf |
