Microsemi Corporation APTM100H18FG
- 제조업체 부품 번호
- APTM100H18FG
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
APTM100H18FG 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 99,999.99999
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of APTM100H18FG, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. APTM100H18FG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100H18FG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- APTM100H18FG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
APTM100H18FG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM100H18FG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | APTM100H18FG Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1630 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 4 N 채널(H 브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 210m옴 @ 21.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 372nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 780W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP6 | |
| 공급 장치 패키지 | SP6 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | APTM100H18FG | |
| 관련 링크 | APTM10, APTM100H18FG Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
APTM100H18FG 의 관련 제품
 | EEU-FC1A102LJ | 1000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | EEU-FC1A102LJ.pdf | |
 | F1778310M3D0W0 | 10000pF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | F1778310M3D0W0.pdf | |
 | 0001.1021 | FUSE GLASS 500MA 250VAC 3AB 3AG | 0001.1021.pdf | |
 | ABM3C-24.576MHZ-B-4-Y-T | 24.576MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3C-24.576MHZ-B-4-Y-T.pdf | |
 | MMBZ5229C-E3-08 | DIODE ZENER 4.3V 225MW SOT23-3 | MMBZ5229C-E3-08.pdf | |
 | FDMS0310AS | MOSFET N-CH 30V 19A PT8 | FDMS0310AS.pdf | |
| 7022PHM | RELAY TIME DELAY | 7022PHM.pdf | |
.jpg) | RE1206DRE07374KL | RES SMD 374K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE07374KL.pdf | |
.jpg) | RT0805DRE0740K2L | RES SMD 40.2K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE0740K2L.pdf | |
 | CPF0805B6K65E1 | RES SMD 6.65KOHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B6K65E1.pdf | |
| TNPW04023K28BEED | RES SMD 3.28KOHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW04023K28BEED.pdf | |
 | RCP2512W50R0JWB | RES SMD 50 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W50R0JWB.pdf |
