창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTM100H35FT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | APTM100H35FT3G Power Products Catalog | |
PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 4 N 채널(H 브리지) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 420m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 186nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 390W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP3 | |
공급 장치 패키지 | SP3 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | APTM100H35FT3G | |
관련 링크 | APTM100, APTM100H35FT3G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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VJ0805D300JLPAP | 30pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D300JLPAP.pdf | ||
ECC-D3A820JGE | 82pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 SL/GP 방사형, 디스크 0.236" Dia(6.00mm) | ECC-D3A820JGE.pdf | ||
06033K0R9BAWTR | 0.90pF Thin Film Capacitor 25V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06033K0R9BAWTR.pdf | ||
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CRCW12107R32FNTA | RES SMD 7.32 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12107R32FNTA.pdf | ||
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