Microsemi Corporation APTM100H35FT3G
- 제조업체 부품 번호
- APTM100H35FT3G
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
APTM100H35FT3G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 99,999.99999
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of APTM100H35FT3G, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. APTM100H35FT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100H35FT3G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- APTM100H35FT3G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
APTM100H35FT3G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM100H35FT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | APTM100H35FT3G Power Products Catalog | |
| PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 4 N 채널(H 브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 420m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 186nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 390W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP3 | |
| 공급 장치 패키지 | SP3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | APTM100H35FT3G | |
| 관련 링크 | APTM100, APTM100H35FT3G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
APTM100H35FT3G 의 관련 제품
 | MAL212366689 | 68µF 25V Aluminum Capacitors Axial, Can 4.1 Ohm @ 100Hz 20000 Hrs @ 125°C | MAL212366689.pdf | |
| B41043A6827M | 820µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | B41043A6827M.pdf | |
 | 08055A330FAT2A | 33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055A330FAT2A.pdf | |
| BFC237934154 | 0.15µF Film Capacitor 100V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.197" W (12.50mm x 5.00mm) | BFC237934154.pdf | |
 | 2037-25-B | GDT 250V 15% 5KA THROUGH HOLE | 2037-25-B.pdf | |
 | P4KE82ATR | TVS DIODE 66.4VWM 113VC DO41 | P4KE82ATR.pdf | |
 | BAT854CW,135 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323 | BAT854CW,135.pdf | |
 | VB30100S-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB | VB30100S-M3/4W.pdf | |
.jpg) | KTR10EZPF8663 | RES SMD 866K OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF8663.pdf | |
.jpg) | RT1210DRD07360KL | RES SMD 360K OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD07360KL.pdf | |
| MJ22R1FE-R52 | RES 22.1 OHM 1/8W 1% AXIAL | MJ22R1FE-R52.pdf | |
 | E2E-X10D1-M1G | Inductive Proximity Sensor 0.394" (10mm) IP68 Cylinder, Threaded - M30 | E2E-X10D1-M1G.pdf |
