Microsemi Corporation APTM100U13SG

APTM100U13SG
제조업체 부품 번호
APTM100U13SG
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 1000V 65A J3
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APTM100U13SG 매개 변수
내부 부품 번호EIS-APTM100U13SG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서APTM100U13S
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Microsemi Corporation
계열-
포장벌크
부품 현황판매 중단
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)1000V(1kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C65A
Rds On(최대) @ Id, Vgs145m옴 @ 32.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 10mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs2000nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds31600pF @ 25V
전력 - 최대1250W
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스J3 모듈
공급 장치 패키지모듈
표준 포장 1
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)APTM100U13SG
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