Microsemi Corporation APTM100U13SG
- 제조업체 부품 번호
- APTM100U13SG
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 1000V 65A J3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
APTM100U13SG 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of APTM100U13SG, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. APTM100U13SG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100U13SG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- APTM100U13SG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
APTM100U13SG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM100U13SG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | APTM100U13S | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 65A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 145m옴 @ 32.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 10mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2000nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 31600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1250W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | J3 모듈 | |
| 공급 장치 패키지 | 모듈 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | APTM100U13SG | |
| 관련 링크 | APTM10, APTM100U13SG Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
APTM100U13SG 의 관련 제품
 | 382LX152M500B102VS | 1500µF 500V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 5 Lead 3000 Hrs @ 85°C | 382LX152M500B102VS.pdf | |
 | AQ12EM0R1BATME | 0.10pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM0R1BATME.pdf | |
 | QXP2G684KRPT | 0.68µF Film Capacitor 160V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.043" L x 0.484" W (26.50mm x 12.30mm) | QXP2G684KRPT.pdf | |
 | 595D105X9020T4T | 1µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 0805 (2012 Metric) 9 Ohm 0.087" L x 0.043" W (2.20mm x 1.10mm) | 595D105X9020T4T.pdf | |
 | 445A32J12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 9pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A32J12M00000.pdf | |
 | SG7050CCN 29.491200M-HJGA3 | 24.4912MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 4.5 V ~ 5.5 V 20mA Enable/Disable | SG7050CCN 29.491200M-HJGA3.pdf | |
 | 7447462101 | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 550 mOhm Max Radial | 7447462101.pdf | |
 | B82442A1125J | 1.2mH Unshielded Wirewound Inductor 75mA 13.6 Ohm Max 2-SMD | B82442A1125J.pdf | |
.jpg) | 4N31S1(TB)-V | Optoisolator Darlington with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD | 4N31S1(TB)-V.pdf | |
 | RTE25005 | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 5VDC Coil Through Hole | RTE25005.pdf | |
 | HHV-50JR-52-3M3 | RES 3.3M OHM 1/2W 5% AXIAL | HHV-50JR-52-3M3.pdf | |
 | CMF601K1000FHEB | RES 1.1K OHM 1W 1% AXIAL | CMF601K1000FHEB.pdf |
