창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTM100UM65SAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | APTM100UM65SAG Power Products Catalog | |
카탈로그 페이지 | 1630 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 145A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 78m옴 @ 72.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 20mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1068nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 28500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3250W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP6 | |
공급 장치 패키지 | SP6 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | APTM100UM65SAGMI APTM100UM65SAGMI-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | APTM100UM65SAG | |
관련 링크 | APTM100, APTM100UM65SAG Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | ERJ-P6WF43R2V | RES SMD 43.2 OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-P6WF43R2V.pdf | |
![]() | SSCDRRN010NDAA5 | Pressure Sensor ±0.36 PSI (±2.49 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 0.5 V ~ 4.5 V 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Same Side | SSCDRRN010NDAA5.pdf |