Microsemi Corporation APTM10HM09FT3G
- 제조업체 부품 번호
- APTM10HM09FT3G
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
APTM10HM09FT3G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 99,999.99999
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of APTM10HM09FT3G, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. APTM10HM09FT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM10HM09FT3G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- APTM10HM09FT3G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
APTM10HM09FT3G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM10HM09FT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | APTM10HM09FT3G Power Products Catalog | |
| PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 4 N 채널(H 브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 139A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 69.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 350nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9875pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 390W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP3 | |
| 공급 장치 패키지 | SP3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | APTM10HM09FT3G | |
| 관련 링크 | APTM10H, APTM10HM09FT3G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
APTM10HM09FT3G 의 관련 제품
 | EEU-FC1C102B | 1000µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | EEU-FC1C102B.pdf | |
| MAL201336478E3 | 4.7µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 85°C | MAL201336478E3.pdf | |
 | 10YXG10000MEFC18X35.5 | 10000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 105°C | 10YXG10000MEFC18X35.5.pdf | |
 | SA102A820JARC | 82pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA102A820JARC.pdf | |
 | VJ1825A101KBCAT4X | 100pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A101KBCAT4X.pdf | |
| ECW-F6244RJL | 0.24µF Film Capacitor 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.441" W (18.00mm x 11.20mm) | ECW-F6244RJL.pdf | |
 | SFA37S3K219B | 3µF Film Capacitor 370V Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can 2.160" L x 1.310" W (54.86mm x 33.27mm), Lip | SFA37S3K219B.pdf | |
| SIT8008BC-12-33S-25.000000G | OSC XO 3.3V 25MHZ | SIT8008BC-12-33S-25.000000G.pdf | |
| 4470R-20G | 39µH Unshielded Molded Inductor 720mA 1 Ohm Max Axial | 4470R-20G.pdf | |
 | CRCW08059M09FKEA | RES SMD 9.09M OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08059M09FKEA.pdf | |
 | HRG3216P-57R6-D-T5 | RES SMD 57.6 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-57R6-D-T5.pdf | |
| P51-300-G-M-M12-5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Vented Gauge Male - M10 x 1.0 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-300-G-M-M12-5V-000-000.pdf |
