Microsemi Corporation APTM10TDUM09PG

APTM10TDUM09PG
제조업체 부품 번호
APTM10TDUM09PG
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
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APTM10TDUM09PG 매개 변수
내부 부품 번호EIS-APTM10TDUM09PG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서APTM10TDUM09PG
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Microsemi Corporation
계열-
포장벌크
부품 현황유효
FET 유형6 N-Chan(3상 브리지)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C139A
Rds On(최대) @ Id, Vgs10m옴 @ 69.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 2.5mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs350nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds9875pF @ 25V
전력 - 최대390W
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형섀시 실장
패키지/케이스SP6
공급 장치 패키지SP6-P
표준 포장 1
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)APTM10TDUM09PG
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