Microsemi Corporation APTM120A65FT1G
- 제조업체 부품 번호
- APTM120A65FT1G
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
APTM120A65FT1G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 99,999.99999
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of APTM120A65FT1G, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. APTM120A65FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120A65FT1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- APTM120A65FT1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
APTM120A65FT1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM120A65FT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | APTM120A65FT1G Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 780m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7736pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 390W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP1 | |
| 공급 장치 패키지 | SP1 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | APTM120A65FT1G | |
| 관련 링크 | APTM120, APTM120A65FT1G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
APTM120A65FT1G 의 관련 제품
| EKMM351VNN681MR60T | 680µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | EKMM351VNN681MR60T.pdf | |
| B41505A8688M2 | 6800µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 29 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 105°C | B41505A8688M2.pdf | |
 | SA101A471JAC | 470pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA101A471JAC.pdf | |
 | ICTE10C-E3/73 | TVS DIODE 10VWM 14.5VC 1.5KE | ICTE10C-E3/73.pdf | |
 | HC-49/U-S3579545ABJB | 3.579545MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 HC49/US | HC-49/U-S3579545ABJB.pdf | |
 | SIT3809AC-2-18SX | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 33mA Standby | SIT3809AC-2-18SX.pdf | |
 | VS-8TQ080SPBF | DIODE SCHOTTKY 80V 8A D2PAK | VS-8TQ080SPBF.pdf | |
 | 1SMB5953BT3G | DIODE ZENER 150V 3W SMB | 1SMB5953BT3G.pdf | |
| MX3SWT-A1-R250-0007B8 | LED Lighting XLamp® MX-3S White 10.7V 115mA 120° 2-SMD, Gull Wing, Exposed Pad | MX3SWT-A1-R250-0007B8.pdf | |
 | AX97-40330 | 33µH Unshielded Wirewound Inductor 3.5A 60 mOhm Max Nonstandard | AX97-40330.pdf | |
 | MGA-30489-TR1G | RF Amplifier IC Cellular, PCS, W-CDMA, WLLand 250MHz ~ 3GHz SOT-89-3 | MGA-30489-TR1G.pdf | |
 | MCP2030T-I/SL | IC KEYLESS ENTRY AFE 14SOIC | MCP2030T-I/SL.pdf |
