창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTM120U10SCAVG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | APTM120U10SCAVG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWER MOS 7® | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 116A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 58A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 20mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1100nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 28900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3290W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP6 | |
공급 장치 패키지 | SP6 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | APTM120U10SCAVG | |
관련 링크 | APTM120, APTM120U10SCAVG Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | CRA06S08368K0JTA | RES ARRAY 4 RES 68K OHM 1206 | CRA06S08368K0JTA.pdf | |
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![]() | H86K49BYA | RES 6.49K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H86K49BYA.pdf |