Microsemi Corporation APTM20AM10FTG
- 제조업체 부품 번호
- APTM20AM10FTG
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
APTM20AM10FTG 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 99,999.99999
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of APTM20AM10FTG, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. APTM20AM10FTG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM20AM10FTG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- APTM20AM10FTG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
APTM20AM10FTG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM20AM10FTG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | APTM20AM10FTG Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 175A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 87.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 224nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 694W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP4 | |
| 공급 장치 패키지 | SP4 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | APTM20AM10FTG | |
| 관련 링크 | APTM20, APTM20AM10FTG Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
APTM20AM10FTG 의 관련 제품
| E37L421CPN392ME92M | 3900µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 27 mOhm 10000 Hrs @ 85°C | E37L421CPN392ME92M.pdf | |
 | SQCSVA2R2BAT1A | 2.2pF 250V 세라믹 커패시터 A 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | SQCSVA2R2BAT1A.pdf | |
.jpg) | CC1206JKNPOCBN270 | 27pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206JKNPOCBN270.pdf | |
 | SMAJ12CAHE3/5A | TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMA | SMAJ12CAHE3/5A.pdf | |
 | 402F3201XIJT | 32MHz ±10ppm 수정 9pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F3201XIJT.pdf | |
 | 590GB-BDG | 125MHz ~ 160MHz CMOS XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 90mA Enable/Disable | 590GB-BDG.pdf | |
 | DS1-25-0003 | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 3.15A DCR 40 mOhm | DS1-25-0003.pdf | |
 | CMC-05 | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 5.2A DCR 25 mOhm | CMC-05.pdf | |
| 4448-24L | Unshielded 2 Coil Inductor Array 200µH Inductance - Connected in Series 50µH Inductance - Connected in Parallel 202 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 1.2A Nonstandard | 4448-24L.pdf | |
 | ELL-4LG4R7NA | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 90 mOhm Nonstandard | ELL-4LG4R7NA.pdf | |
 | EL3H7(D)(TA)-VG | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SSOP | EL3H7(D)(TA)-VG.pdf | |
.jpg) | RT2512BKE075K9L | RES SMD 5.9K OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE075K9L.pdf |
