창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTM20DHM16TG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | APTM20DHM16TG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 104A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 52A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7220pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 390W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP4 | |
공급 장치 패키지 | SP4 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | APTM20DHM16TG | |
관련 링크 | APTM20, APTM20DHM16TG Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | IMC1812ES2R2J | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 380mA 700 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ES2R2J.pdf | |
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![]() | PHP00805H1241BST1 | RES SMD 1.24K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H1241BST1.pdf | |
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