Microsemi Corporation APTM50DAM19G
- 제조업체 부품 번호
- APTM50DAM19G
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 500V 163A SP6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
APTM50DAM19G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 99,999.99999
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of APTM50DAM19G, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. APTM50DAM19G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM50DAM19G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- APTM50DAM19G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
APTM50DAM19G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM50DAM19G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | APTM50DAM19G Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 163A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22.5m옴 @ 81.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 10mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 492nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 22400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1136W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP6 | |
| 공급 장치 패키지 | SP6 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | APTM50DAM19G | |
| 관련 링크 | APTM50, APTM50DAM19G Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
APTM50DAM19G 의 관련 제품
 | 50ZLH27MEFC5X11 | 27µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 105°C | 50ZLH27MEFC5X11.pdf | |
| B43305D2108M60 | 1000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 130 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 85°C | B43305D2108M60.pdf | |
 | 150474K1000Z1F | 0.47µF Film Capacitor 250V 1000V (1kV) Polyester, Metallized Axial 0.945" Dia x 1.299" L (24.00mm x 33.00mm) | 150474K1000Z1F.pdf | |
 | SMCJ45CA-E3/9AT | TVS DIODE 45VWM 72.7VC SMC | SMCJ45CA-E3/9AT.pdf | |
 | P6SMB43CAHE3/52 | TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC SMB | P6SMB43CAHE3/52.pdf | |
 | PEMB16,115 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 | PEMB16,115.pdf | |
 | B82498F1272J | 2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 2 Ohm Max 2-SMD | B82498F1272J.pdf | |
.jpg) | RLP73N1ER27JTD | RES SMD 0.27 OHM 5% 1/8W 0402 | RLP73N1ER27JTD.pdf | |
 | MCR18EZHFLR130 | RES SMD 0.13 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZHFLR130.pdf | |
-TNP-SERIES.jpg) | TNPW0805360RBETA | RES SMD 360 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805360RBETA.pdf | |
 | CRCW0402634RFKEDHP | RES SMD 634 OHM 1% 1/5W 0402 | CRCW0402634RFKEDHP.pdf | |
 | 5 PSI-G-CGRADE-MINI | Pressure Sensor 5 PSI (34.47 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 60 mV (12V) 4-SIP Module | 5 PSI-G-CGRADE-MINI.pdf |
