Microsemi Corporation APTMC120AM08CD3AG
- 제조업체 부품 번호
- APTMC120AM08CD3AG
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
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APTMC120AM08CD3AG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-APTMC120AM08CD3AG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | APTMC120AM08CD3AG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 250A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 200A, 20V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 10mA(일반) | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 490nC(20V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9500pF @ 1000V | |
| 전력 - 최대 | 1100W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | D-3 모듈 | |
| 공급 장치 패키지 | D3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | APTMC120AM08CD3AG | |
| 관련 링크 | APTMC120, APTMC120AM08CD3AG Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
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