창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AQW612EHAZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 계전기 | |
제품군 | 무접점 계전기 | |
제조업체 | Panasonic Electric Works | |
계열 | * | |
부품 현황 | * | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | AQW612EHAZ | |
관련 링크 | AQW61, AQW612EHAZ Datasheet, Panasonic Electronic Components Distributor |
GRM21B7U1A104JA01L | 0.10µF 10V 세라믹 커패시터 U2J 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM21B7U1A104JA01L.pdf | ||
VJ0805D220KLPAC | 22pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D220KLPAC.pdf | ||
MKP1839151633R | 510pF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.197" Dia x 0.433" L (5.00mm x 11.00mm) | MKP1839151633R.pdf | ||
416F370X3IAR | 37MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F370X3IAR.pdf | ||
MCD72-18IO8B | MOD THYRISTOR/DIO 1800V TO-240AA | MCD72-18IO8B.pdf | ||
ELL-4GG100M | 10µH Shielded Wirewound Inductor 770mA 250 mOhm Nonstandard | ELL-4GG100M.pdf | ||
LK21251R2M-T | 1.2µH Shielded Multilayer Inductor 80mA 350 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | LK21251R2M-T.pdf | ||
SDR0906-100ML | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 2.1A 90 mOhm Max Nonstandard | SDR0906-100ML.pdf | ||
EL207(TA)-V | Optoisolator Transistor with Base Output 3750Vrms 1 Channel 8-SOP | EL207(TA)-V.pdf | ||
RCP1206B1K00GEC | RES SMD 1K OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B1K00GEC.pdf | ||
CMF5526R700FKRE70 | RES 26.7 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5526R700FKRE70.pdf | ||
HMC635LC4TR-R5 | RF Amplifier IC VSAT 18GHz ~ 40GHz 24-CSMT (4x4) | HMC635LC4TR-R5.pdf |