창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AT-4.007MAHQ-T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | AT Series Datasheet | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 수정 | |
제조업체 | TXC CORPORATION | |
계열 | AT | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | MHz 수정 | |
주파수 | 4.007MHz | |
주파수 안정도 | ±30ppm | |
주파수 허용 오차 | ±30ppm | |
부하 정전 용량 | 10pF | |
등가 직렬 저항(ESR) | 150옴 | |
작동 모드 | 기본 | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
등급 | AEC-Q200 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | HC49/US | |
크기/치수 | 0.449" L x 0.189" W(11.40mm x 4.80mm) | |
높이 | 0.161"(4.10mm) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | AT-4.007MAHQ-T | |
관련 링크 | AT-4.00, AT-4.007MAHQ-T Datasheet, TXC CORPORATION Distributor |
![]() | UTT0J470MDD1TE | 47µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UTT0J470MDD1TE.pdf | |
![]() | UUJ1V222MRQ1ZD | 2200µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 5000 Hrs @ 105°C | UUJ1V222MRQ1ZD.pdf | |
![]() | S103K75Y5PN6BJ7R | 10000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 | S103K75Y5PN6BJ7R.pdf | |
![]() | BFC236858102 | 1000pF Film Capacitor 220V 400V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.177" W (12.50mm x 4.50mm) | BFC236858102.pdf | |
B32653A4105K289 | 1µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.043" L x 0.433" W (26.50mm x 11.00mm) | B32653A4105K289.pdf | ||
![]() | 416F32012IST | 32MHz ±10ppm 수정 시리즈 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32012IST.pdf | |
![]() | VS-T40HF60 | DIODE MODULE 600V 40A D-55 | VS-T40HF60.pdf | |
![]() | MMU01020C4702FB300 | RES SMD 47K OHM 1% 0.3W 0102 | MMU01020C4702FB300.pdf | |
![]() | 4816P-T01-272LF | RES ARRAY 8 RES 2.7K OHM 16SOIC | 4816P-T01-272LF.pdf | |
![]() | 753081103GPTR13 | RES ARRAY 7 RES 10K OHM 8SRT | 753081103GPTR13.pdf | |
![]() | MFR-25FBF52-31R6 | RES 31.6 OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FBF52-31R6.pdf | |
![]() | Y118917K6160TR1R | RES 17.616KOHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y118917K6160TR1R.pdf |