창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AT0402BRD072K21L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | AT Series, Automotive | |
주요제품 | AT Series Thin Film Chip Resistors | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Yageo | |
계열 | AT | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 2.21k | |
허용 오차 | ±0.1% | |
전력(와트) | 0.063W, 1/16W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 황화 방지, 자동차 AEC-Q200 자격 취득, 내습성 | |
온도 계수 | ±25ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0402 | |
크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
높이 | 0.014"(0.35mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | AT0402BRD072K21L | |
관련 링크 | AT0402BR, AT0402BRD072K21L Datasheet, Yageo Distributor |
CQ0201CRNPO8BN6R8 | 6.8pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CQ0201CRNPO8BN6R8.pdf | ||
MKP383439160JPP2T0 | 0.39µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 0.945" W (42.00mm x 24.00mm) | MKP383439160JPP2T0.pdf | ||
10LCT | FUSE CARTRIDGE 10A 240VAC/150VDC | 10LCT.pdf | ||
ECS-120-32-1X | 12MHz ±30ppm 수정 32pF 30옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U | ECS-120-32-1X.pdf | ||
67YR100KLFTB | 100k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 20 Turn Top Adjustment | 67YR100KLFTB.pdf | ||
PM3340-331M-RC | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 700 mOhm Max Nonstandard | PM3340-331M-RC.pdf | ||
IDCP3114ER121M | 120µH Unshielded Wirewound Inductor 490mA 540 mOhm Max Nonstandard | IDCP3114ER121M.pdf | ||
THS10560RJ | RES CHAS MNT 560 OHM 5% 10W | THS10560RJ.pdf | ||
AT0402DRD071K02L | RES SMD 1.02KOHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRD071K02L.pdf | ||
MCR25JZHF2942 | RES SMD 29.4K OHM 1% 1/4W 1210 | MCR25JZHF2942.pdf | ||
RT1210DRD07226KL | RES SMD 226K OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD07226KL.pdf | ||
PJF7993ATW/D1CJ | IC IMMOBIL BASESTATION 20HTSSOP | PJF7993ATW/D1CJ.pdf |