ON Semiconductor ATP108-TL-H
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- ATP108-TL-H
- 제조업 자
- ON Semiconductor
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- FET - 단일
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- MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
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ATP108-TL-H 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-ATP108-TL-H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | ATP108 | |
| PCN 설계/사양 | Lead Frame Material Update 09/Apr/2014 Mold Compound/Lead Frame Chg 20/Jul/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | ATPY Wafer Fab Transfer 09/Sep/2014 Wafer Fab Site Addition 17/Mar/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1531 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.4m옴 @ 35A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 79.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3850pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | ATPAK(2 리드(lead)+탭) | |
| 공급 장치 패키지 | ATPAK | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 869-1076-2 869-1076-2-ND ATP108-SPL ATP108-TL-HOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | ATP108-TL-H | |
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