ON Semiconductor ATP114-TL-H

ATP114-TL-H
제조업체 부품 번호
ATP114-TL-H
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
Datesheet 다운로드
다운로드
ATP114-TL-H 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 593.04960
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of ATP114-TL-H, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. ATP114-TL-H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ATP114-TL-H, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
ATP114-TL-H 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
ATP114-TL-H 매개 변수
내부 부품 번호EIS-ATP114-TL-H
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서ATP114
PCN 설계/사양Lead Frame Material Update 09/Apr/2014
Mold Compound/Lead Frame Chg 20/Jul/2016
PCN 조립/원산지ATPY Wafer Fab Transfer 09/Sep/2014
Wafer Fab Addition 12/Jun/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C55A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs16m옴 @ 28A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs92nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4000pF @ 20V
전력 - 최대60W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스ATPAK(2 리드(lead)+탭)
공급 장치 패키지ATPAK
표준 포장 3,000
다른 이름ATP114-TL-H-ND
ATP114-TL-HOSTR
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)ATP114-TL-H
관련 링크ATP11, ATP114-TL-H Datasheet, ON Semiconductor Distributor
ATP114-TL-H 의 관련 제품
38000µF 10V Aluminum Capacitors FlatPack, Tabbed 31 mOhm @ 120Hz 10000 Hrs @ 85°C HVMLS383M010EB1A.pdf
4.3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) VJ0402D4R3DLBAP.pdf
20pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D200MLCAC.pdf
10000pF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) F339MX231031MCA2B0.pdf
5600pF Film Capacitor 250V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.158" W (17.50mm x 4.00mm) ECQ-U2A562MV.pdf
TVS DIODE 3VWM SOD882T ESDAVLC8-1BT2Y.pdf
3.579545MHz ±30ppm 수정 17pF 120옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U ECS-35-17-1X.pdf
2.2µH Shielded Wirewound Inductor 1.85A 40 mOhm Nonstandard ASPI-4020S-2R2N-T.pdf
RES SMD 86.6K OHM 1% 1/8W 0805 MCR10ERTF8662.pdf
RES SMD 2.61KOHM 0.1% 1/16W 0402 TNPW04022K61BETD.pdf
RES SMD 392 OHM 0.05% 1/4W 1206 TNPU1206392RAZEN00.pdf
RES SMD 19.8KOHM 0.05% 1/4W 0805 PLTT0805Z1982AGT5.pdf