창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ATP212-TL-H | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ATP212 | |
PCN 설계/사양 | Lead Frame Material Update 09/Apr/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 07/Oct/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1531 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1820pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | ATPAK(2 리드(lead)+탭) | |
공급 장치 패키지 | ATPAK | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 869-1084-2 ATP212TLH | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | ATP212-TL-H | |
관련 링크 | ATP21, ATP212-TL-H Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
HDE681SBDDH0KR | 680pF 4000V(4kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | HDE681SBDDH0KR.pdf | ||
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RT1206DRD071K58L | RES SMD 1.58K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD071K58L.pdf | ||
RT1210DRD0724R9L | RES SMD 24.9 OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD0724R9L.pdf | ||
CW0102K200JB14 | RES 2.2K OHM 13W 5% AXIAL | CW0102K200JB14.pdf |