ON Semiconductor ATP218-TL-H
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- FET - 단일
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- MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK
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ATP218-TL-H 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-ATP218-TL-H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | ATP218 | |
| PCN 단종/ EOL | EOL 21/Apr/2016 | |
| PCN 설계/사양 | Lead Frame Material Update 09/Apr/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 50A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6600pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | ATPAK(2 리드(lead)+탭) | |
| 공급 장치 패키지 | ATPAK | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | ATP218-TL-H | |
| 관련 링크 | ATP21, ATP218-TL-H Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
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