창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF1404ZSTRL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | AUIRF1404Z(S,L) | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4340pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263AB) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | AUIRF1404ZSTRL-ND AUIRF1404ZSTRLTR SP001522120 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | AUIRF1404ZSTRL | |
관련 링크 | AUIRF14, AUIRF1404ZSTRL Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | B72205S271K341 | VARISTOR 430V 400A DISC 5MM | B72205S271K341.pdf | |
![]() | BZX84C11-G3-18 | DIODE ZENER 11V 300MW SOT23-3 | BZX84C11-G3-18.pdf | |
![]() | RCWE120630L0FMEA | RES SMD 0.03 OHM 1% 1/2W 1206 | RCWE120630L0FMEA.pdf | |
![]() | MCR18ERTF7681 | RES SMD 7.68K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTF7681.pdf | |
![]() | RMCF0805FT30R9 | RES SMD 30.9 OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FT30R9.pdf | |
![]() | RG1608P-151-W-T5 | RES SMD 150 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608P-151-W-T5.pdf | |
![]() | C3A30RJT | RES 30 OHM 3W 5% AXIAL | C3A30RJT.pdf | |
![]() | 100217 | RFID Tag Read/Write 128b (EPC) Memory 860MHz ~ 960MHz EPC, ISO 18000-6 Inlay | 100217.pdf | |
![]() | OPB981N11Z | SWITCH SLOTTED OPT W/WIRE LEADS | OPB981N11Z.pdf |