창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF1405ZS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | AUIRF1405ZS,ZL | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.9m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4780pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 230W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001519512 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | AUIRF1405ZS | |
관련 링크 | AUIRF, AUIRF1405ZS Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
860010772003 | 0.33µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 860010772003.pdf | ||
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ECJ-1VB1C473K | 0.047µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | ECJ-1VB1C473K.pdf | ||
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AT0402BRD0719R6L | RES SMD 19.6 OHM 0.1% 1/16W 0402 | AT0402BRD0719R6L.pdf | ||
ERJ-L1DUF67MU | RES SMD 0.067 OHM 1% 1/2W 2010 | ERJ-L1DUF67MU.pdf | ||
92J1K2 | RES 1.2K OHM 2.25W 5% AXIAL | 92J1K2.pdf |