Infineon Technologies AUIRF7319QTR
- 제조업체 부품 번호
- AUIRF7319QTR
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
AUIRF7319QTR 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 917.37350
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of AUIRF7319QTR, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. AUIRF7319QTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF7319QTR, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- AUIRF7319QTR 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
AUIRF7319QTR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRF7319QTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | AUIRF7319Q | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A, 4.9A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 5.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | SP001520168 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRF7319QTR | |
| 관련 링크 | AUIRF7, AUIRF7319QTR Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
AUIRF7319QTR 의 관련 제품
-2.jpg) | 1808GC150MAT1A | 15pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808GC150MAT1A.pdf | |
 | CDV30EJ430GO3 | MICA | CDV30EJ430GO3.pdf | |
.jpg) | TAJW476K006RNJ | 47µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2312 (6032 Metric) 1.5 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | TAJW476K006RNJ.pdf | |
 | 416F3741XCDR | 37.4MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3741XCDR.pdf | |
 | SIT9002AC-48N25DO | 1MHz ~ 220MHz HCSL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 80mA | SIT9002AC-48N25DO.pdf | |
 | VS-88CNQ060ASMPBF | DIODE SCHOTTKY 60V 40A D618SM | VS-88CNQ060ASMPBF.pdf | |
 | IHSM5832ER681L | 680µH Unshielded Inductor 430mA 2.73 Ohm Max Nonstandard | IHSM5832ER681L.pdf | |
.jpg) | RT0402DRE0748K7L | RES SMD 48.7KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRE0748K7L.pdf | |
 | CMF551K5600FKEA70 | RES 1.56K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551K5600FKEA70.pdf | |
| CMF701K2000FNR6 | RES 1.2K OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF701K2000FNR6.pdf | |
| ATT-0389-06-NNN-02 | RF Attenuator 6dB ±0.3dB 0Hz ~ 18GHz 50 Ohm 2W N-Type In-Line Module | ATT-0389-06-NNN-02.pdf | |
| P51-2000-S-P-M12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Sealed Gauge Male - M20 x 1.5 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-2000-S-P-M12-4.5V-000-000.pdf |
