Infineon Technologies AUIRF7379QTR

AUIRF7379QTR
제조업체 부품 번호
AUIRF7379QTR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
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내부 부품 번호EIS-AUIRF7379QTR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서AUIRF7379Q
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN 설계/사양Die Attach Material Chg 30/Oct/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형N 및 P-Chan
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5.8A, 4.3A
Rds On(최대) @ Id, Vgs45m옴 @ 5.8A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs25nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds520pF @ 25V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 4,000
다른 이름SP001520160
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)AUIRF7379QTR
관련 링크AUIRF7, AUIRF7379QTR Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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