창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRF7665S2TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | AUIRF7665S2TR(1) | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.1A(Ta), 14.4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 62m옴 @ 8.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 515pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 SB | |
공급 장치 패키지 | DIRECTFET SB | |
표준 포장 | 4,800 | |
다른 이름 | SP001519440 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | AUIRF7665S2TR | |
관련 링크 | AUIRF7, AUIRF7665S2TR Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 06035J5R6BAWTR | 5.6pF Thin Film Capacitor 50V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06035J5R6BAWTR.pdf | |
![]() | 17-21UBC/C430/TR8 | Blue 466nm LED Indication - Discrete 3.8V 0805 (2012 Metric) | 17-21UBC/C430/TR8.pdf | |
![]() | 1782-75G | 200µH Unshielded Molded Inductor 52mA 21 Ohm Max Axial | 1782-75G.pdf | |
![]() | G6S-2 DC9 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | G6S-2 DC9.pdf | |
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![]() | CPF0805B910RE1 | RES SMD 910 OHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B910RE1.pdf | |
![]() | AA1218FK-0710KL | RES SMD 10K OHM 1W 1812 WIDE | AA1218FK-0710KL.pdf | |
![]() | RCP1206B18R0JS6 | RES SMD 18 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B18R0JS6.pdf |