Infineon Technologies AUIRF7799L2TR

AUIRF7799L2TR
제조업체 부품 번호
AUIRF7799L2TR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET
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내부 부품 번호EIS-AUIRF7799L2TR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서AUIRF7799L2TR(1)
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)250V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C375A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs38m옴 @ 21A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs165nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds6714pF @ 25V
전력 - 최대4.3W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스DirectFET™ 아이소메트릭 L8
공급 장치 패키지DIRECTFET L8
표준 포장 4,000
다른 이름SP001522796
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)AUIRF7799L2TR
관련 링크AUIRF7, AUIRF7799L2TR Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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