창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AUIRFB8409 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | AUIRF(B,S,SL)8409 | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
주요제품 | 40 V Automotive-Qualified COOLiRFET™ MOSFET | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 450nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14240pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | IRAUIRFB8409 SP001521544 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | AUIRFB8409 | |
관련 링크 | AUIRF, AUIRFB8409 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 0272.010V | FUSE BRD MNT 10MA 125VAC/VDC RAD | 0272.010V.pdf | |
![]() | 3ABP 2-R | FUSE CERAMIC 2A 250VAC 3AB 3AG | 3ABP 2-R.pdf | |
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![]() | ABM3B-19.200MHZ-10-1-U-T | 19.2MHz ±10ppm 수정 10pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3B-19.200MHZ-10-1-U-T.pdf | |
![]() | SBAV99LT3G | DIODE ARRAY GP 70V 215MA SOT23-3 | SBAV99LT3G.pdf | |
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![]() | RCL122510R7FKEG | RES SMD 10.7 OHM 2W 2512 WIDE | RCL122510R7FKEG.pdf | |
![]() | CMF6029K400FKR6 | RES 29.4K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6029K400FKR6.pdf | |
![]() | CMF6027K500BHEB | RES 27.5K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF6027K500BHEB.pdf | |
![]() | Y0007180R000D0L | RES 180 OHM 0.6W 0.5% RADIAL | Y0007180R000D0L.pdf |